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    AES在硅晶圓片表面缺陷的應用


    摘要:

    本文通過AES的微區分析及深度剖析,準確的分析硅晶圓片表面缺陷的成分和其元素沿深度方向的分布,為產品質量提供快捷有效的證據。







    關鍵詞:

    硅晶圓片,失效分析,AES







    案例正文

    1. 引言

    該硅晶圓片在生產之后,發現表面邊緣區域顏色明顯比正常中間區域顏色深,如下圖所示,需分析引起表面顏色變化的原因。

     

    失效分析

    圖1.硅晶圓片外觀圖片

     

    2. 試驗與結果

     

    失效分析 失效分析

    圖2.正常區域表面AES譜

     

    失效分析 失效分析

    圖3.邊緣缺陷區域表面AES譜

     

    失效分析

    圖4.AES測定正常區域Si、O元素表面濃度隨濺射時間關系圖

     

    失效分析

    圖5. AES測定缺陷區域Si、O元素表面濃度隨濺射時間關系圖

     

    3. 結論

    根據AES的表面成分分析測試結果, 正常區域與缺陷區域的成分均未出現除Si、O、C元素以外的其他元素,且原子濃度也相差無幾,可以判斷其缺陷區域表面沒有污染物;根據AES的深度剖析,可以計算出正常區域的氧化層厚度大概在92nm左右,然而缺陷區域的氧化層厚度在549nm,由此可以推斷這種顏色的差別可能是硅晶圓片邊緣區域在加工過程中與水或空氣接觸而導致氧化層厚度增加,從而顏色變深。

     

    *** 以上內容均為原創,如需轉載,請注明出處 ***

     




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